日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀
日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀

產(chǎn)品特色

• 即時(shí)檢測(cè)：能夠?qū)崟r(shí)檢測(cè)晶圓（WAFER）基板在研磨過(guò)程中的膜厚，以及玻璃基板在強(qiáng)酸環(huán)境中減薄過(guò)程中的厚度變化。
• 非接觸式、非破壞性：利用光學(xué)式方法進(jìn)行膜厚檢測(cè)，無(wú)需接觸樣品，不會(huì)對(duì)樣品造成破壞。
• 分光干涉法：采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高精度的檢測(cè)再現(xiàn)性。
• 高速檢測(cè)：能夠進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測(cè)。
• 多層檢測(cè)：可以穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層進(jìn)行檢測(cè)。
• 適應(yīng)性強(qiáng)：可以對(duì)應(yīng)長(zhǎng)工作距離，容易安裝在產(chǎn)線或設(shè)備中。
• 體積小：節(jié)省空間，設(shè)備安裝簡(jiǎn)易。
• 線上檢測(cè)：可以對(duì)應(yīng)線上檢測(cè)的外部信號(hào)觸發(fā)需求。
• 算法：采用適合膜厚檢測(cè)的獨(dú)自解析演算法（已取得）。
• 膜厚分布制圖：可以自動(dòng)進(jìn)行膜厚分布制圖（選配項(xiàng)目）。

規(guī)格樣式

• 膜厚測(cè)量范圍：0.1 μm ~ 1600μm（根據(jù)不同光譜儀種類(lèi)，厚度測(cè)量范圍可能不同）。
• 膜厚精度：±0.1% 以下。
• 重復(fù)精度：0.001% 以下。
• 測(cè)量時(shí)間：10毫秒以下。
• 測(cè)量光源：半導(dǎo)體光源。
• 測(cè)量口徑：φ27μm（最小可達(dá)φ6μm）。
• 工作距離（WD）：3 mm ~ 200 mm。