日本showalabo半導(dǎo)體晶圓裂紋檢測(cè)裝置
日本showalabo半導(dǎo)體晶圓裂紋檢測(cè)裝置

一、核心檢測(cè)功能與技術(shù)亮點(diǎn)

1. Wafer 裂紋檢測(cè)

• 檢測(cè)范圍：覆蓋 Wafer 表、背面的裂紋，同時(shí)可精準(zhǔn)檢測(cè)凹陷、凸起（如凹陷 / 安裝隆起），適配 SiC、LN、LT 等特殊材質(zhì) Wafer。

• 技術(shù)優(yōu)勢(shì)：通過(guò)特殊光學(xué)系統(tǒng)將裂紋引發(fā)的應(yīng)變可視化，可清晰識(shí)別微米級(jí)的凹凸差異（如高低差 5μm 的缺陷），解決傳統(tǒng)檢測(cè)難以發(fā)現(xiàn)的隱性裂紋問(wèn)題。

2. Wafer 邊緣?缺口（Notch）檢測(cè)

• 檢測(cè)范圍：針對(duì) Wafer 的斜面（Bevel）、頂點(diǎn)（APEX）、邊緣近旁表面，以及缺口頂點(diǎn)（Notch APEX）進(jìn)行全面檢測(cè)，可識(shí)別微缺陷與異物（如 5μm PSL 粒子）。

• 應(yīng)用價(jià)值：替代傳統(tǒng)多臺(tái)設(shè)備（原需 5~6 臺(tái)設(shè)備完成的檢測(cè)，現(xiàn) 1~3 臺(tái)即可覆蓋），大幅簡(jiǎn)化檢測(cè)流程，提升生產(chǎn)線效率。

3. Wafer 表背面檢測(cè)

• 檢測(cè)范圍：可檢測(cè)表、背面的劃痕（含鏡面、梨地表面）、滑移線（Slip）、顆粒（Particle）等多種缺陷，不受表面粗糙度影響（梨地背景下的缺陷也可精準(zhǔn)識(shí)別）。

• 技術(shù)靈活度：根據(jù)檢測(cè)項(xiàng)目需求，可靈活切換面陣相機(jī)與線陣相機(jī)，適配不同精度、效率的檢測(cè)場(chǎng)景。

4. Wafer 邊緣形狀測(cè)量

• 測(cè)量?jī)?nèi)容：精準(zhǔn)測(cè)量邊緣斜面角度、滾降量（Roll-off），針對(duì)貼合 Wafer 可額外測(cè)量貼合精度，同時(shí)可獲取頂點(diǎn)尺寸、上下邊緣尺寸、上下邊緣角度等多維度參數(shù)。

• 核心作用：為 Wafer 加工精度管控提供量化數(shù)據(jù)，保障后續(xù)封裝、裝配環(huán)節(jié)的適配性。